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高额晶Si材料成本和薄膜Si材料的自身缺陷使得基于纳米结构光管理工程来获得薄膜高效第三代晶Si电池成为研究热点。本文利用严格耦合波分析方法(RCWA)，在前期1微米晶Si薄膜电池纳米圆锥光栅优化基础上，将其应用于不同厚度的晶Si电池，并与相应的平面结构从吸收谱、光生载流子产生几率以及最大化光电转换效率等方面作比较，得出附有优化纳米圆锥光栅的1微米晶Si薄膜电池，其光电转换效率与100微米平面晶Si电池相当；附有纳米圆锥光栅的10微米晶Si薄膜电池，其光电转换效率近乎达到饱和，后期进一步与背反射结构相结合，将有可能获得小于10微米的高效薄膜晶Si电池。