【摘 要】
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基于高分子的阻变存储器子在高密度存储、柔性电子器件等方面有可能得到应用.2003年,美国普林斯顿大学Forrest课题组用PEDOT：PSS这种导电高分子制备出一次写入、多次读取
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基于高分子的阻变存储器子在高密度存储、柔性电子器件等方面有可能得到应用.2003年,美国普林斯顿大学Forrest课题组用PEDOT：PSS这种导电高分子制备出一次写入、多次读取的存储器时,立刻引起广泛的关注,因为人们期望这是一种新的、高密度、和常用光盘一样便宜的高分子存储材料.随后人们陆续对这种材料进行了很多研究,课题组发现通过改变电极,可以对PEDOT：PSS进行阻变机制的调制.在Al/PEDOT：PSS/Al,结构中发现阻变机制主要由PEDOT：PSS的氧化还原反应控制,如果在PEDOT：PSS中掺入另一种高分子,可以改变PEDOT的分子构型,调制其阻变窗口.在Cu/PEDOT：PSS/Al体系中,Cu通过氧化还原反应在PEDOT：PSS层中形成了导电细丝,这种金属导电细丝由于电阻低,开关电压低,有效的降低了功耗,提高了器件的稳定性,使器件工作到160°而不失效.
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