【摘 要】
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本文以单质Sn为源料运用热蒸发法在较低真空度下成功获得了SnO2纳米线.利用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对所得纳米线的成分、结构及形貌进行了分析,结果表明所制
【机 构】
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河北科技大学材料科学与工程学院,河北 石家庄 050018
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本文以单质Sn为源料运用热蒸发法在较低真空度下成功获得了SnO2纳米线.利用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对所得纳米线的成分、结构及形貌进行了分析,结果表明所制备的纳米线为金红石结构二氧化锡单晶体,直径在70nm左右.将该纳米线制备成气敏元件,进行气敏性能测试,结果表明:该元件最佳工作温度为300℃,对易挥发可燃气氛甲醇、乙醇、丙酮有良好的灵敏度及快速的响应/恢复特性.
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