原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jkdjzzg
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以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM、XRD和FTIR等手段对样品进行分析表征.实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性和生长速率等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比;如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.
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