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本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
【摘 要】
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本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进
【机 构】
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中国科学院信息功能材料国家重点实騐室,上海微系统与信息技术研究所,200050
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年期
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