【摘 要】
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Energy-efficient and environmentally friendly solid-state light sources, in particular GaN-based light emitting diodes (LEDs), are currently revolutionizing an increasing number of applications, and b
【机 构】
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National Taiwan University, Institute of Photonics & Optoelectronics and Department of Electrical En
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Energy-efficient and environmentally friendly solid-state light sources, in particular GaN-based light emitting diodes (LEDs), are currently revolutionizing an increasing number of applications, and bring apparent benefits to vast areas of development, such as lighting, communications, biotechnology, imaging, and medicine.
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氮化镓(GaN)基激光器将半导体激光器拓展到紫、蓝、绿波段,作为新型可见光波段激光光源正带动大色域的激光显示、高亮度激光照明、高分辨激光制版印刷、高密度激光存储等领域的技术革新,是国际上的研究热点.我们对GaN激光器的材料生长、结构设计和器件物理进行了系统的研究.
Wide-bandgap GaN-based power transistors and rectifiers are capable of delivering superior performance (e.g.lower on-state loss, higher off-state breakdown, higher switching frequency, higher operatin
1、MOCVD方法生长高质量GaN系薄膜材料这里重点介绍在SiC衬底上MOCVD方法生长GaN薄膜的实验研究.SiC与GaN的晶格失配仅为3％左右,在SiC衬底上生长的GaN质量比蓝宝石衬底的更好,且SiC具有导热、导电性能,是制备大功率半导体照明LED的理想衬底,Cree公司已经宣称开发出效率达276 1m/V的白光LED.
LED产业的高速发展需要降低成本和提高良率来推动,高性能、智能化、规模化的新型设备将更具优势.随着LED性能的不断提升,MOCVD设备面临一系列的挑战,包括更低的设备硬件和维护成本,更少的反应源消耗和工艺生长时间,更高的外延芯片产能和良率等.
ZnO光电材料是新型节能光电子工业的基础材料,在未来白光照明产业中有可能发挥重要作用.对于研究ZnO光电材料在节能光电子器件中的应用来说,结构的可控生长是实现实际应用的基础,p型掺杂是推动其应用于光电器件的关键问题.
Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) has become the major technology for volume manufacturing of semiconductor structures, including light emitting diode (LED), laser diode (LD),high
随着光电子技术的不断进步和国家"十城万盏"等半导体照明示范工程的快速推进,发光二极管的应用领域和市场逐步扩大.通过近几年的努力,我国半导体照明产业发展有了很大的进步,但是在高光效、高可靠性、低成本大功率LED外延和芯片技术上相比于国外还存在一定的差距,是我国急需重点发展的研究方向之一.
The epitaxial structure of the GaN-based light-emitting devices was grown on sapphire substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.The phosphor was coated on the GaN-based li
过去十年,由于三维GaN纳(微)米柱的优异性质及在纳米光子学和光电子学中的潜在应用,GaN纳米柱的研究引起了广泛的兴趣.对比传统的二维层状GaN结构,三维纳(微)米结构具有很多优点.首先,由于横向的小尺寸效应,生长纳米柱中的线位错密度会大大降低,直至零位错状态.
自上世纪90年代以来GaN基宽禁带化合物半导体材料和器件得到了迅猛的发展,但由于缺少GaN同质衬底材料,一直以来GaN基材料都是生长在异质衬底上.目前,商品化的GaN基材料和器件大多采用蓝宝石衬底.与蓝宝石衬底相比,Si衬底具有成本低、尺寸大、质量高、导热导电好、制备工艺成熟等优势,且有望在Si衬底上实现光电器件集成.