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本文论述了造成微波输出窗损坏的各种因素，指出了二次电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因。在抑制二次电子发射的措施中，详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺的特点。
高功率输出窗的二次电子倍增效应及其抑制工艺
【摘 要】
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本文论述了造成微波输出窗损坏的各种因素，指出了二次电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因。在抑制二次电子发射的措施中，详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京,100190
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
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2009年期
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