【摘 要】
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近年来强离子源的问世为研究高电荷态离子(HCI)与固体或晶体的相互作用提供了必要条件.当高电荷态离子靠近固体表面时会伴随着俄歇电子发射、X射线发射、入射离子的中性化和
【机 构】
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哈尔滨工程大学核科学与技术学院,黑龙江哈尔滨 150001
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近年来强离子源的问世为研究高电荷态离子(HCI)与固体或晶体的相互作用提供了必要条件.当高电荷态离子靠近固体表面时会伴随着俄歇电子发射、X射线发射、入射离子的中性化和中空原子(离子)的形成等一系列复杂的过程.由于没有电子的屏蔽作用,当高电荷态离子接近固体表面时会在其周围形成极强的电场,如果靶物质为绝缘体还会发生库伦爆炸等现象.深入研究这一系列的作用过程对于材料改性、辐射损伤等领域的研究都具有基础性的作用.由于高电荷态离子在固体表面的掠射作用时间较长,更有利于对各过程细节的研究.本工作尝试利用经典的过垒模型来研究高电荷态离子在Al(111)表面的作用过程.围绕该过程中与能损相关的物理过程进行了详细阐述,为模拟计算工作奠定了基础.
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