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采用籽晶诱导的坩埚下降法研究了3 英寸PIN-PMN-PT 弛豫铁电单晶的生长工艺.搭建了适于生长3 英寸弛豫铁电单晶的单晶生长炉,获得了理想的炉温温场分布.
3英寸PIN-PMN-PT 单晶的生长及介电压电性能研究
【摘 要】
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采用籽晶诱导的坩埚下降法研究了3 英寸PIN-PMN-PT 弛豫铁电单晶的生长工艺.搭建了适于生长3 英寸弛豫铁电单晶的单晶生长炉,获得了理想的炉温温场分布.
【机 构】
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西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西省西安市,710049
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年期
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