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为顺应摩尔定律的增长趋势，芯片技术已来到所谓的“超越摩尔定律”的3D集成时代。电子系统进一步小型化和性能提高，越来越需要使用3D集成方案，在此需求推动下，穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生，成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一。TSV集成与传统组装方式相比较，具有独特的优势，如：减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围。三维集成技术可以使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的几个系列元器件都集成到一个系统里面。本文结合近两年的国外文献，总结了用于3D集成封装的TSV的互连技术和工艺，探讨了该技术的未来发展趋势。