Voltage and Temperature Modulated Anisotropic Magnetoresistance in Graphene

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：en2113

【摘要】

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　　We report an anisotropic magnetoresistance behavior in monolayer graphene devices.Large area monolayer graphene is deposited on SiO2/Si substrates and the d

【作者】

：

Zhaolong Yang Dezheng Yang Desheng Xue

【机构】

：

Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE,Lanzhou University,Lanzhou 730000

【出处】

：

中国物理学会2015年秋季会议

【发表日期】

：

2015年期

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　　We report an anisotropic magnetoresistance behavior in monolayer graphene devices.Large area monolayer graphene is deposited on SiO2/Si substrates and the devices have longitudinal Au/graphene/Au structure which Au is used as electrode.

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