VHF VHF-PECVD 技术制备平米级非晶硅硅/非晶硅锗锗/微晶硅电池的研究

• 作 者: 任慧志;赵颖;许盛之;王宗畔;张晓丹;
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
• 出 处: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
• 发表日期: 2012年期

本文报道了对于生产线上基于单室多片技术制备的a-Si/a-SiGe 电池作为三结电池的顶电池和中间电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积μc-Si 底电池,制备出大面积a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.研究了对a-Si/a-SiGe/μc-Si 中a-SiGe 电池的n 层H 离子处理、加入n 型微晶硅薄膜材料的方法改善叠层电池的np 隧穿结；采用沉积过程中氢稀释率梯度调制技术提高微晶硅电池本征层的微结构均匀性.通过优化上述实验参数,获得初始功率71W,转换效率9.5％,面积为0.79m2的a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.