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在真空镀膜生产实践中，要求在球形工件内表面镀制薄膜的情况时有发生。如果采用CVD方法或者是蒸发镀膜方法，能够很容易地制成膜厚均匀性极好的膜层。但在要求必须采用溅射镀膜方法制备功能薄膜的情况下，由于溅射靶形状的限制，要在球形内表面获得均匀膜层则具有较大的难度。针对这一问题，本文提出了使用圆平面磁控溅射靶在球形工件内表面镀制薄膜的技术方案，设计了三种靶—基系统布置模式：对于半球形工件的直径尺寸接近于正常溅射靶基距的小尺寸工件情况，采用圆平面靶相对于半球形内表面的对中外部放置；对于更大尺寸工件情况，以及要求提供离子发射源布置空间的情况，采用圆平面靶相对于半球形内表面的偏心外部放置；对于直径远大于正常溅射靶基距的超大尺寸半球形工件，则采用圆平面靶相对于半球形内表面的偏心倾斜内部放置。