1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

• 作 者: 林理彬 王浙辉 祖小涛
• 机 构: 四川大学物理系辐射物理及技术国家教委开放实验室(成都)
• 出 处: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 半导体激光器 抗辐照性能 光纤通信系统 性能影响 外层空间 输出功率 电子能量 电子辐照 核环境 非致命 应用 数理

1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统中。为了扩大其应用至核环境和外层空间，该文对mInGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为0.4-1.8MeV范围内，注量小于2×10<16>im<-2>条件下进行辐照，对mInGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。辐照注量达1×10<16>m<-2>时，激光器的输出功率呈数理级下降，而镀以Y<,2>O<,3>-ZrO<,4>膜的半导体激光器的抗辐照性能得到提高。