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该研究提供了一种在表面活性剂存在的前提下采用化学沉淀法制备纳米氧化钴的方法，所得产品经XRD、TEM证明为平均粒径为22纳米的氧化钴，并对其影响因素进行了初步探讨。
敏感元件用纳米氧化钴
【摘 要】
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该研究提供了一种在表面活性剂存在的前提下采用化学沉淀法制备纳米氧化钴的方法，所得产品经XRD、TEM证明为平均粒径为22纳米的氧化钴，并对其影响因素进行了初步探讨。
【机 构】
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成都蜀都电子粉体材料厂
【出 处】
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第七届压敏电阻器学术年会
【发表日期】
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1999年9期
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