利用可调的P型GaN纳米柱阵列提高蓝光LED出光效率

• 作 者: 陈湛旭 金崇君 张佰君 王雪华 梁柱洪 任远 肖国徽
• 机 构: 中山大学物理科学与工程技术学院&光电材料与技术国家重点实验室,广东 广州 510275
• 出 处: 中国物理学会2012年秋季学术会议
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: GaN 纳米柱 阵列 蓝光 LED 相对折射率 内反射效应 发光二极管

发光二极管(LED)被誉为新一代的固态光源,但由于半导体材料具有较高的相对折射率,其全内反射效应使得量子阱产生的大部分光无法逃逸,所以目前主要存在发光效率较低等缺点.为了提高LED的出光效率,文章利用纳米球刻蚀技术对LED表面的p型GaN层进行图案化处理.在p型GaN层制作透明电极之前,在其表面铺排直径为450nm的单层密排的聚苯乙烯(PS)小球作为掩膜.