Optimizing properties of the epitaxial graphene on SiC substrate via reducing its topological defect

来源 :第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dengsanhua
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  Graphene,a magic two dimensional material,exhibits some fantastic electron properties [1],such as the ballistic transformation [2],the fractional quantum Hall effect [3] and the ultrahigh mobility of the charge carriers [1],etc,because its charge carriers behave like the massless Dirac Fermions [1,2].
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