气氛对ZrO<,2>缺陷结构的影响

• 作 者: 王琳[1]郑秀华[1]王宝义[2]马创新[2]牛海燕[2]
• 机 构: 理工大学机械工程与自动化学院
• 出 处: 1998年中国材料研讨会
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 氧化锆陶瓷 晶体缺陷 氧空位 结构-性能关系

该文应用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了不同气氛（Ａｉｒ、Ａｒ、Ｈ〈，２〉、Ｎ〈，２〉、Ｏ〈，２〉）对于３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉与１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉缺陷结构和浓度的影响。结果表明：由于氧分压不同，不同气氛中处理的样品得到的正电子湮没寿命及相对强度不同，而不同的寿命及强度反映了捕获正电子的缺陷类型和数量的不同。３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉在氧气中处理后试样的缺陷尺寸大，在空气中处理后炉冷试样和１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉在氩气中处理后试样的缺陷浓度分别最大。分析认为：单空位、空位团、缔合缺陷和相变引起的体缺陷（如微裂纹）对正电子湮没寿命贡献很大。