【摘 要】
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采用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试和少子寿命测量相结合的方法,研究了不同晶相结构的薄膜硅材料在晶硅表面上的钝化效果。结果表明,相比纳米晶、微晶等晶
【机 构】
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中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组,北京,100190
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采用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试和少子寿命测量相结合的方法,研究了不同晶相结构的薄膜硅材料在晶硅表面上的钝化效果。结果表明,相比纳米晶、微晶等晶相结构,非晶硅的钝化效果最好。分析认为,薄膜硅材料中H原子含量越多,钝化效果越好,并且钝化效果与H原子的成键方式有关,Si-H键处于致密的非晶硅薄膜材料内,具有最佳的钝化效果,Si-H2键处于非晶/结晶相的界面上或者薄膜内的微空洞处,钝化效果较弱。
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