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该文报道了利用光发射谱OES和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（PCVD）金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果，研究了几种过程参数变化中等离子体状态，并与金刚石的沉积相联系。
等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中等离子体条件的原位诊断
【摘 要】
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该文报道了利用光发射谱OES和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（PCVD）金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果，研究了几种过程参数变化中等离子体状
【机 构】
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中国科学技术大学近代物理系
【出 处】
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第九届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
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1999年8期
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