半导体器件表面钝化膜应力性质的研究

• 作 者: 杨银堂 孙青 庄奕琪
• 机 构: 西北电讯工程学院微电子研究所
• 出 处: 中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会
• 发表日期: 1987年期
• 关键词: 半导体器件 表面钝化膜 压应力 形成过程 理论分析 工艺 薄膜 变化趋势 氧化硅 膜应力 扩散炉 质量 体系 测量 参量

应力大小是衡量器件表面钝化膜质量优劣的重要因素。该文对CN薄膜中应力的主要起因进行了分析，给出了薄膜形成过程中主要工艺参量对其应力的影响情况，对实际生长的CVD钝化膜应力进行了测量，其变化趋势与理论分析结果相 符合。结果还表明，用扩散炉体系PECVD法得到的氧化硅钝化膜具有压应力，其数量级为10[*10*]dyn／cm[*v2*]。简单讨论了工艺上应力的可能途径。（本刊录）