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实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷井产生速率降低、空穴和电子俘获陷阱减少；氮化降低栅介质内是缺陷密度，提高了栅介质本征击穿性能和完整性；氮化栅介质还表现较强的防止硼扩散到硅衬工能力。还对氮化提高栅介质可靠性的机理进行了探讨。