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研究了恒电位电解法掺稀土(Er、Nd与Yb)对多孔硅(PS)室温可见区光致发光性能的影响。结果表明：适当高浓度稀土的掺入可以提高PS的发光强度、使PS发光波长蓝移；掺入稀土浓度过高对PS的发光起猝灭作用。掺稀土可以缩短PS发光衰减的平均寿命，而不影响衰减曲线的形状。提出用“表面态辅助的量子限制效应”观点来解释PS和掺稀土多孔硅的致发光。