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利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性，成功地显示出InSb扩散结的结剖面及其形貌，并由此测出了在不同条件下，ZnCd在InSb中扩散的P-N结深度。（本刊录）
阳极氧化显示InSb P-N结的结剖面
【摘 要】
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利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性，成功地显示出InSb扩散结的结剖面及其形貌，并由此测出了在不同条件下，ZnCd在InSb中扩散的P-N结深度。（本刊录）
【机 构】
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昆明物理研究所
【出 处】
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第七届红外技术会议
【发表日期】
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1986年期
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