硼-碳-氮新相及其导电性

• 作 者: 姚斌 刘力 刘曙娥 苏文辉 叶森 吴瑞芝
• 机 构: 吉林大学物理系
• 出 处: 第十届全国高压学术讨论会
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 室温电阻率 晶格常数 温度 半导体 退火 四方结构 非晶 等压加热 碳含量 晶体相 化合物 压力 特性 晶化 等温

在4GPa，500～1200K的范围，对非晶BCN化合物等温等压加热1h。结果表明：压力促进非晶BCN的晶化。在880K以上退火1h，获得一新的具有四方结构的B-C-N半导体晶体相。其晶格常数和室温电阻率随温度的提高而减少，这一结果被归因于其碳含量随温度的增加而增加。经1170K退火获得的B-C-N新相的晶格常数为a=1.685nm，c=0.537nm，室温电阻率为2.99（Ωm）。电阻随温度的变化呈类半导体特性。