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随着真空电子器件向毫米波以及太赫兹频段的发展，常规真空电子器件的发展受到了限制。相对于常规真空电子器件而言，片状电子注器件具有平板型、小型化、高频率、高功率等明显优点，因此在国际上得到了广泛而深入的研究。本文综述了片状注的产生和传输、片状注器件的研究现状以及未来的发展趋势。
高功率高频率片状电子注器件研究进展
【摘 要】
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随着真空电子器件向毫米波以及太赫兹频段的发展，常规真空电子器件的发展受到了限制。相对于常规真空电子器件而言，片状电子注器件具有平板型、小型化、高频率、高功率等明
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院,微波电真空器件国家级重点实验室,成都610054
【出 处】
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第十三届高功率粒子束暨第八届全国高压加速器学术交流会
【发表日期】
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2012年8期
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