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锰氧化物和铁电材料构建的多铁异质结，因为界面处电荷、自旋和轨道的相互作用，表现出新颖的磁电耦合行为，对新一代存储器件的发展具有深远的意义，引起人们广泛的关注。锰氧化物的金属绝缘体转变以及电子相分离都存在明显的磁场依赖关系，可能影响锰氧化物/铁电界面的性质，从而改变异质结的介电和铁电行为。