【摘 要】
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本文利用HJ-FET实现了L波段的限幅低噪放。该LNA具有成本低,噪声小,体积紧凑、承受功率大的特性。用5级并联PIN二极管实现了前置限幅器,该限幅器驻波性能好,插损较小,同时补
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本文利用HJ-FET实现了L波段的限幅低噪放。该LNA具有成本低,噪声小,体积紧凑、承受功率大的特性。用5级并联PIN二极管实现了前置限幅器,该限幅器驻波性能好,插损较小,同时补偿了后级低噪放的输入端电桥的不平衡性。前置限幅器能承受超过200w的脉冲功率,在相控阵雷达的收发单元中有着广泛的运用。
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