【摘 要】
：
本文采用PIC(Partical in call)方法,用数值方法求解基于网格上的Poisson方程,求得等离子体鞘层中的电位分布及电场分布.位于等离子体鞘层中的所有离子,在各个时刻都受到电场
【机 构】
：
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室(上海)
【出 处】
：
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文采用PIC(Partical in call)方法,用数值方法求解基于网格上的Poisson方程,求得等离子体鞘层中的电位分布及电场分布.位于等离子体鞘层中的所有离子,在各个时刻都受到电场的作用力而作加速运动,离子的运动轨迹一般不再是直线.本文采用Verlet(The Vrerlet Scheme)方法跟踪离子的位置变化.并假定一个很小的时间间隔Δt内,离子的运动轨迹为直线.由于离子的运动改变了等离子体鞘层中的电荷分布,因此必须重新求解Possion方程式得到新的电位分布及电场分布,算出离子下一步的运动轨迹.这样不断循环直到鞘层内大部分O<,2><+>离子注入Si片或碰到内壁.本文着重考察了负脉冲波形各个阶段,O<,2><+>离子注入剂量径向分布的变化,以及O<,2><+>离子的注入角分布、能量分布.对等离子体浸没式离子注入的微观过程有一个初步了解.
其他文献
自1969年美国数字设备公司研制成功第一台PLC至今，PLC作为一种专业的工业控制器，40多年来从无到有，实现了工业控制领域接线逻辑到存储逻辑的飞跃；其功能从弱到强，实现了逻辑控制到
本实验针对N型InP做氦离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦离子注入在InP中引起的损伤可以形成P型导电区域,经过一定的退火,P型导
在n-Si衬底上分别注B1×10cm50kev和注矿5×10cm50kev形成p-n结后再用MBE外延800nm厚的Ge膜:在n-Si衬底上用MBE外延一层p-Si形成p-n结后再用MEB外延800nm厚的Ge膜.利用透射电
随着社会的不断进步与地理信息系统GIS广泛应用，人们对地理测绘的技术要求越来越高，对地理信息的需求量越来越多。因此构建科学、完善的地理信息系统成为我们追求的目标。地理
本工作采用X光衍射方法对经质子轰击工艺的GaAs样品做了分析测试,得出了GaAs经质子轰击及随后退火工艺造成缺陷的信息情况,本工作发现多个能量的叠加质子轰击及退火能改进GaA
发展美丽特色小城镇是推进供给侧结构性改革的重要平台，是深入推进新型城镇化的重要抓手，有利于推动经济转型升级和发展动能转换，有利于促进大中小城市和小城镇协调发展，有利于充
运用光敏树脂浸渍纤维增强材料制成柔性预浸料修理补片,用粘接的方法贴补到破坏损伤区,在紫外光的照射下迅速固化,从而在短时间内完成飞机结构战伤抢修。
The use of photos
当前，建筑给排水与人们的生活息息相关，优质的安装施工质量和科学的管理是保障管网系统高效安全运行的必要条件，而且也可以改进和弥补设计施工中的某些不足。为了满足给排水工程
美国的“两用政策”使低轨卫星通信系统可能在军事通信得到广泛应用.本文简要分析了低轨卫星通信系统的组成、工作特征等参数.提出了用电子对抗手段对其用户链路实现对抗的途