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目前使用的单元红外探测器或者阵列红外探测器均要求低温工作，必须致冷到不同程度（ＶＫ ７７Ｋ或更低些）的温度下工作方可获得较为实用的红外图像。迄今发展较好，使用广泛的该征窄带半导体材料红外探测器阵列，如ＩｎＳｂ、ＨｇＣｄＴｅ，ＰｔＳｉ肖特基势垒红外阵列，非该征硅阵列，如Ｓｉ：Ｇａ，Ｓｉ：Ｉｎ等和新型量子阱、异质结构红外阵列ＧｅＳｉ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等，均必须苛刻的冷却环境（７７Ｋ 或甚至远低于７７Ｋ）下工作，这使系统结构更加复杂，不便于实现小体积，长期稳定的低成本工作，从而限制了红外阵列的应用范围，实现红外阵列的非致冷室温工作是使该技术进一步向前发展的关键。最近几年来，国外在这方面取得了相当大的进展。该文评述近二、三年间非致冷红外焦平面阵列技术的发展概况，包括理论、材料、器件结构、制作工艺、目前取得的主要进展和应用范围，未来的趋势和前景。文章的第一部分为前言，第２部分是基本的工作原理与结构，第三部分是主要的性能参数与制作工艺，第四部分是国外取得的进展，第五部分是发展趋势与前景（包括应用）。