Al掺杂SiC纳米线的制备及场发射性能研究

来源 :第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunny_cui
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近年来,由于在平板显示器和场发射电子枪等领域中的潜在价值,碳化硅(SiC)一维纳米结构优异的场发射性能逐渐引起了国内外的广泛关注[1],为使SiC一维纳米材料能真正成为场发射平板显示器的阴极材料,研究人员不断致力于增强其场发射性能的研究.提高半导体材料场发射性能的有效途径包括对其进行表面修饰和元素掺杂.我们课题组已制备了SiC基的SiC@a-C[2]以及SiC@SiO2@c-C[3]复合结构的同轴纳米电缆,获得了优异的场发射性能.最近我们研究了Al元素掺杂SiC纳米线的制备及其场发射性能的影响.采用简单的化学气相反应(CVR)法,首次以异丙醇铝(AIP)为Al源,以聚碳硅烷(PCS)为碳源和硅源,反应温度1250℃,制备出Al掺杂SiC纳米线,系统研究了不同保温时间90min、120min、180min时Al掺杂的SiC纳米线及其场发射性能的影响规律.当保温时间为120min时,产物具有最优的场发射性能,其开启电场为0.8V/μm,阈值电场为4.8V/μm.
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