WTe2在极端条件下的电输运特性

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunboy92121

【摘要】

：

　　本工作研究了半金属(Semi-metal)WTe2在一系列极端条件下的电学行为.WTe2是首个拥有闭合费米面却在极高磁场下有极大不饱和正常磁电阻的半金属.这种性质被认为是因为其费

【作者】

：

潘星辰宋凤麒

【机构】

：

固体微结构国家重点实验室&南京大学物理学院,南京 210093

【出处】

：

中国物理学会2015年秋季会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

极端条件费米面正常磁电阻半金属直接证据迁移率谱平衡空穴

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

　　本工作研究了半金属(Semi-metal)WTe2在一系列极端条件下的电学行为.WTe2是首个拥有闭合费米面却在极高磁场下有极大不饱和正常磁电阻的半金属.这种性质被认为是因为其费米面上电子-空穴平衡导致.通过对常压输运磁电阻及霍尔信号的细致研究，结合迁移率谱的方法，我们给出了WTe2中的电荷浓度及电子-空穴在低温下平衡的直接证据.

其他文献

基于垂直极化层和面内自由层结构的自旋力矩振荡器

　　利用自旋极化电子向纳米磁性结构中转移自旋角动量的特性，开发出的自旋基电子器件可用作新型宽带射频振荡器1.目前，这种自旋力矩振荡器的微波发射功率较低、线宽较大，而且需

会议

垂直极化自由层结构自旋角动量力矩射频振荡器自旋极化外加磁场

Y掺杂对LaTiO3磁性影响的理论研究

　　钙钛矿型钛酸盐RTiO3(其中R代表一个三价稀土阳离子)作为一种拥有丰富物理性质的强关联材料，由于其独特的电子、磁性以及轨道结构，备受关注。该类材料中Ti的t2g轨道和3d1未

会议

掺杂磁性影响轨道结构强关联材料物理性质结构畸变钙钛矿型电子

通过拟合磁化曲线计算钙钛矿锰氧化物La1.2-xTbxSr1.8Mn2O7(x=0.00,0.05)的磁熵变

　　磁制冷技术由于在噪声、效率、寿命、污染等方面的优越性,是目前的一大研究热点[1-3].采用传统高温固相反应法制备La1.2-xTbxSr1.8Mn2O7(x=0.00,0.05)多晶样品,利用振动

会议

Ferromagnetism induced by Cu vacancy and modulated by interfacial Cu diffusion in intrinsic Cu/Cu2O

　　In recent years,oxides diluted magnetic semiconductors have attracted many research interests due to their potential applications in spintronic devices.Neve

会议

Ni50Mn37In13-xCux(X=4,5,6)合金的马氏体相变及磁电阻的研究

　　Ni-Mn基哈斯勒合金在其马氏体相变过程中会出现大的磁热效应和磁电阻效应,这些效应在磁制冷技术和磁头技术应用方面都具有潜在应用价值,因此受到广泛关注[1]。我们用WK2

会议

合金马氏体相变磁热效应相变过程结构和磁性磁电阻效应制冷技术应用价值

应变诱导的LaCoO3薄膜反常磁性研究

　　利用激光脉冲沉积法在SrTiO3(001)衬底上制备了一系列不同厚度的LaCoO3/SrTiO3 超晶格薄膜，研究了薄膜的结构和磁性能。在XRD图谱中，只有LaCoO3(00l)的衍射峰，在衍射峰的周

会议

应变诱导超晶格薄膜激光脉冲沉积法衍射峰SrTiO3薄膜样品卫星峰磁性能

泵浦功率对CoFeB/MgO薄膜阻尼因子影响

　　我们利用时间分辨的磁光克尔效应研究了面内各向异性CoFeB/MgO薄膜的磁化强度动力学过程。通过实验得到的时间分辨克尔曲线，我们得到样品磁化强度的进动频率和弛豫时间随

会议

泵浦功率MgO薄膜阻尼因子时间分辨磁化强度面内各向异性密度依赖性动力学过程

La0.67Sr0.33MnO3/La0.67Ca0.33MnO3双层薄膜之间磁耦合的研究

　　利用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3(110)取向的衬底上,制备了一系列不同厚度的La0.67Sr0.33MnO3/La0.67Ca0.33MnO3(LSMO/LCMO)双层薄膜,并对双层薄膜进行了磁性质的测量和分

会议

双层薄膜易磁化方向脉冲激光沉积技术LCMO薄膜厚度衬底磁性质制备

Superconductivity tuned by liquid gating in FeSe-derived superconductors

　　We report a first-order transition from superconductor to AFM insulator with a strong charge doping induced by ionic gating in the thin flakes of single cry

会议

平面结构WO3-x的电致阻变的动态过程

　　同磁性随机存储器(MRAM)、相变随机存储器(PcRAM)、铁电随机存储器(FRAM)一样，阻变随机存储器(RRAM)被看做突破常规半导体存储物理极限的有力竞争者之一。然而，从上个世纪

会议

平面结构铁电随机存储器磁性随机存储器三明治结构半导体存储七十年代动态过程显微术

WTe2在极端条件下的电输运特性

其他学术论文