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在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。并比较了芯片的存储单元处在不同电位时的单粒子翻转效应。
IDT7164在<'40>Ar束流中单粒子效应
【摘 要】
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在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。并比较了芯片的存储单元处在不同电位时的单粒子翻转效应。
【机 构】
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科学院空间科学与应用研究中心(北京)
【出 处】
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中国空间科学学会空间探测专委会第九次学术会议
【发表日期】
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1996年期
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