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本文提出了用于N 极性GaN 外延层MOCVD 生长中的改进流量调制生长方法。为了提高N 极性GaN 外延层的晶体质量，生长低温氮化镓(LT-GaN)成核层时引入了改进的流量调制生长方法。脉冲生长时，周期性控制Ga 源的通断，并控制中断时间，使用原子力显微镜(AFM)可以看到各样品成核层表面形貌有明显差异。另外，本研究使用了霍尔效应测试仪、光致发光能谱(PL)、X 射线衍射(XRD)等表征手段对N 极性GaN 外延层的电学、光学特性进行了系统地测试与分析。测试结果表明，与在使用常规生长方法得到LT-GaN 成核层上生长得到的N 极性GaN 外延层对比，使用改进的流量调制方法生长得到的N 极性GaN 外延层的电学和光学特性有了显著地提升。