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利用电子束诱导沉积方法在单根ZnSe纳米线表面原位沉积了厚度可控的碳氢化合物，得到同轴异质复合纳米线。原位电性能测量得到ZnSe纳米线的阈值电压为1.6伏，而异质复合纳米线的阈值电压为1伏，因此沉积碳氢化合物明显降低了半导体纳米线与金属电极界面间的Schottky势垒，因此在ZnSe纳米线表面原位沉积碳氢化合物壳层可以有效调解半导体纳米线的电学性能。