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GaAs、InP、GaP刻蚀反应动力学的SECM研究

来源 :第十八次全国电化学大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luo2kai3

【作 者】

：

赖俊辉 张杰 王玮 詹东平 

【机 构】

：

厦门大学,固体表面物理化学国家重点实验室,化学与化工学院,厦门,361005

【出 处】

：

第十八次全国电化学大会

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

GaAs InP GaP 刻蚀 

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