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自巨平面霍尔效应在稀磁半导体GaMnAs 中发现以来，人们在磁性传感器和磁性随机存储器领域提出了利用巨平面霍尔效应替代隧穿磁电阻效应的可能性。半金属Fe3O4 具有较高的居里温度(858 K)和理论上100％的自旋极化率，其巨平面霍尔效应引起了人们的关注[1]。
外延CrxFe3-xO4薄膜的巨平面霍尔效应
【摘 要】
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自巨平面霍尔效应在稀磁半导体GaMnAs 中发现以来，人们在磁性传感器和磁性随机存储器领域提出了利用巨平面霍尔效应替代隧穿磁电阻效应的可能性。半金属Fe3O4 具有较高的
【机 构】
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天津大学理学院,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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