【摘 要】
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为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求,本文结合了仿真和理论分析,研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管,并研究了其
【机 构】
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湖南大学电气与信息工程学院长沙410082国网智能电网研究院北京102211
【出 处】
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第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会
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为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求,本文结合了仿真和理论分析,研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管,并研究了其在UHVDC换流器中的应用前景.同时,介绍了在4.5kV SiC发射极关断晶闸管(ETO)的初步实验结果.研究表明:30kV SiC晶闸管与现有商用Si晶闸管相比,不仅可以极大的减少器件串联使用数量,简化控制电路,而且可以大幅降低导通损耗,提高能效.因此,高压SiC晶闸管将可能取代Si晶闸管,成为下一代UHVDC换流器核心开关器件.
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