【摘 要】
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目的：本实验主要研究650nm半导体激光不同能量密度照射足三里穴对急性佐剂性关节炎的治疗差异,研究激光照射的生物效应及其作用.方法：健康雄性SD大鼠60只,随机分为正常组对
【机 构】
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上海中医药大学,上海 201203
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目的：本实验主要研究650nm半导体激光不同能量密度照射足三里穴对急性佐剂性关节炎的治疗差异,研究激光照射的生物效应及其作用.方法：健康雄性SD大鼠60只,随机分为正常组对照组、模型组、低能量密度组(61.89J/cm2)、高能量密度组(247.57J/cm2),将弗式完全佐剂(Freunds complete adjuvant,FCA)注入大鼠右后肢足跖皮内,建立佐剂性关节炎模型(adjuvant arthritis,AA),治疗组采用650nm半导体激光照射,分别用61.89J/cm2、247.57J/cm2两种能量密度照射大鼠足三里穴,观测各组大鼠造模后,第1次、第3次、第5次治疗后关节肿胀度、痛阈、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)、白介素-1β(IL-1β)水平的变化.结果：模型组关节肿胀度、痛阈、TNF-α、IL-1β与正常组相比有显著差异(P＜0.05),完成5次治疗后低能量和高能量密度的半导体激光对于急性炎症均有效果,高能量密度组治疗效果优于低能量密度组(P＜0.05).结论：61.89J/cm2和247.57J/cm2能量密度半导体激光照射足三里穴可以缓解急性AA带来的炎症疼痛、肿胀,降低TNF-α、IL-1β浓度水平.半导体激光照射具有刺激或抑制、累积作用后及抛物线特征.低能量密度组获得最佳疗效位于第3-5次治疗之间.
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