【摘 要】
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本文通过N-丙烷磺酸苯胺（SPAN ）与层状V2O5 干凝胶（VXG ）进行插层原位聚合反应，制备出PSPAN/V2O5 纳米杂化材料，利用导电聚合物PSPAN 的高导电率弥补了纯VXG作为锂离子电池正极材料时载流子传导率较低的缺陷。PSPAN 的插入对V2O5 的骨架结构起到稳定作用。并且PSPAN 中含有 -SO3 -基团，具有自掺杂效应，在充放电过程中对阴离子的迁移量较少，从而改善了循环寿命
【机 构】
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超细材料制备与应用教育部重点实验室，华东理工大学材料学院，上海 200237
【出 处】
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2005年全国高分子学术论文报告会
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本文通过N-丙烷磺酸苯胺（SPAN ）与层状V2O5 干凝胶（VXG ）进行插层原位聚合反应，制备出PSPAN/V2O5 纳米杂化材料，利用导电聚合物PSPAN 的高导电率弥补了纯VXG作为锂离子电池正极材料时载流子传导率较低的缺陷。PSPAN 的插入对V2O5 的骨架结构起到稳定作用。并且PSPAN 中含有 -SO3 -基团，具有自掺杂效应，在充放电过程中对阴离子的迁移量较少，从而改善了循环寿命。
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