【摘 要】
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在不同Ar/N2流量比的气氛下,用磁控反应溅射方法在玻璃基片上沉积了氮化硅薄膜,然后在大气环境、730℃下对制备的氮化硅薄膜样品进行了4.5分钟快速热处理。用nkd-System Spec
【机 构】
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武汉理工大学 硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北 武汉 430070
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在不同Ar/N2流量比的气氛下,用磁控反应溅射方法在玻璃基片上沉积了氮化硅薄膜,然后在大气环境、730℃下对制备的氮化硅薄膜样品进行了4.5分钟快速热处理。用nkd-System Spectrophotometer测试了薄膜的折射率,用X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的元素组成和离子状态。结果表明,热处理前,氮化硅薄膜中存在单质Si,随着Ar/N2流量比的增加,氮化硅薄膜中的单质Si增加,薄膜的折射率增大;薄膜快速热处理后,氮化硅薄膜中存在O-Si-N,导致薄膜的折射率降低。对得到的结果进行了讨论。
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