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低温荧光谱的研究表明，在分子束外延生长结合微细加工技术制备量子点阵样品的过程中，采用湿化学腐蚀法处理，去掉离子刻蚀过程中引入的表面损伤，改善了量子点阵的荧光特性。
湿化学腐蚀法在制备量子点阵过程中的作用
【摘 要】
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低温荧光谱的研究表明，在分子束外延生长结合微细加工技术制备量子点阵样品的过程中，采用湿化学腐蚀法处理，去掉离子刻蚀过程中引入的表面损伤，改善了量子点阵的荧光特性。
【机 构】
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半导体超晶格国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第五届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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1999年6期
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