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Enhanced Sensing Properties of Back-Gate sSi/Si0.5Ge0.5/sSi Quantum-Well Ion-Sensitive Field-Effect
【机 构】
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State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and I
【出 处】
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2015 Shanghai Thin Film Conference(2015上海薄膜国际会议)
【发表日期】
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2015年期
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