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简单介绍了ＳｉＣ作为聚变堆结构候选材料的研究历程。利用１４ＭｅＶ强流电子直线加速器对ＳｉＣｆ／ＳｉＣ复合材料进行辐照实验，对比了辐照前后热导、电阻、密度及表面形态的变化。电子辐照后，随着辐照剂量增加，热导减小，电阻增大，密度增加，表面形态明显变化。应用改进的ＥＧＳ４（Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｇａｍｍａ Ｓｈｏｗｅｒ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）程序，模拟电子簇射过程，计算了材料的损伤剂量。采用化学气相浸渍法（ＣＶＩ）制备ＳｉＣｆ／ＳｉＣ复合材料。