【摘 要】
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本文利用低温扫描隧道显微镜(4.2K),扫描隧道显微谱(STS)和dI/dV mapping 技术研究了蒸镀于重掺杂Si 片上的Pb 岛表面的双甲板DyPc2 分子.在单层的分子组装中,相邻的DyPc2 分子取向成6o 夹角,第二层分子则是孤立的分散于组装单层上,双层分子通过接触的两个酞菁环p-p 堆积形成共轴结构.实验中得到了DyPc2 分子裂解后的碎片,并形成单层的Pc 组装,其STM 图像明
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京,100871 北京大学信息科学与技术学院,北京,100871
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本文利用低温扫描隧道显微镜(4.2K),扫描隧道显微谱(STS)和dI/dV mapping 技术研究了蒸镀于重掺杂Si 片上的Pb 岛表面的双甲板DyPc2 分子.在单层的分子组装中,相邻的DyPc2 分子取向成6o 夹角,第二层分子则是孤立的分散于组装单层上,双层分子通过接触的两个酞菁环p-p 堆积形成共轴结构.实验中得到了DyPc2 分子裂解后的碎片,并形成单层的Pc 组装,其STM 图像明显区别于完整分子,实验分析表明,单层Pc 组装结构延续了双甲板分子中下层Pc 与表面衬底的吸附取向,测量得到相邻DyPc2 分子上下酞菁环之间的夹角均为45o,分子内部并未发生扭转.通过测量dI/dV 谱,在第二层DyPc2 分子的lobe 上观察到kondo effect,其磁性来源于上层酞菁环上未配对的电子,而不是来自于Dy 原子4f 的电子态信息.
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