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基于0.25 um工艺,本文通过分析I/O电路设计过程中遇到的功耗大、易触发Latch-up效应及ESD保护等问题,提出了可行的解决方案.
基于0.25um工艺的I/O电路设计
【摘 要】
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基于0.25 um工艺,本文通过分析I/O电路设计过程中遇到的功耗大、易触发Latch-up效应及ESD保护等问题,提出了可行的解决方案.
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 长沙 410073
【出 处】
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第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)
【发表日期】
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2008年期
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