【摘 要】
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对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行CB结反偏注入,研究了其ESD潜在性失效规律.在实验中通过监测器件的放大倍数hFE来表征器件的潜在损伤程度.结果表明在低于损伤阈值的ESD作
【机 构】
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军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003
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对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行CB结反偏注入,研究了其ESD潜在性失效规律.在实验中通过监测器件的放大倍数hFE来表征器件的潜在损伤程度.结果表明在低于损伤阈值的ESD作用下,确实可造成晶体管的潜在损伤,并以一定的相关性累积,最终造成器件完全失效.器件的损伤程度强烈的依赖与ESD放电电压,随着放电电压的增大,抗静电次数迅速减少.定义了潜在损伤阈值VLth,它标志了对器件的ESD安全电压临界值,因此在工程中较损伤阈值Vth具有更重要的现实意义.实验中,VLth约为Vth的79.2％,通过与Schreir的实验结果比较,得出了类似的结论.
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