退火对具有LiF保护层的C60场效应管稳定性的影响

来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a370412412
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  有机薄膜晶体管(OTFT)与传统晶体管相比具有低成本、可弯曲等优点,在大面积柔性显示、传感器等领域具有广阔的应用前景。基于N型晶体管和P型晶体管共同构成的互补型集成电路(CMOS)是构成大规模集成电路芯片的核心。
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针对传统薄膜及晶硅光伏组件功率的推算误差较大的缺陷,该文介绍了一种精确度相对较高的组件功率推算算法,并对其进行实验对比研究分析。通过实验结果的对比与分析,用实际数据论证了组件的该算法的优势。
光学损耗是表征激光器性能的重要参数,对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响。测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用。
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本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求,开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构作为VCSEL器件的有源区;利用k·p理论分析了不同组份的InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构的导/价带能级、自发辐射谱及增益谱,分析了不同量子阱结构的增益与温度的依赖关系;最终获得了最优的量子阱有源区结构。
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超大规模集成电路工艺集成度的不断提高,要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式增长,传统硅集成电路工艺中的SiO2栅介质日益趋于极限,迫切需要寻找新的高k栅介质来取代SiO2.