对硝基苯腈薄膜的超高密度信息存储研究

• 作 者: 时东霞;张昊旭;江鹏;解思深;庞世瑾;
• 机 构: 中科院物理所凝聚态物理中心北京真空物实验室
• 出 处: 第四届全国微米/纳米技术学术会议
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: 单体有机薄膜 扫描隧道显微镜 信息存储 STM

采用扫描隧道显微镜(STM)在单体有机薄膜材料p-nitrobenzonitrile上进行超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和HOPG基底上的薄膜之间施加电压脉冲进行信息点的写入.信息点的大小小于1nm.信息点记录图案非常稳定.电流-电压(I-V)特征曲线表明信息存储区域具有导电特性,而非储存区域具有高电阻特性.在PNBN单体有机薄膜上的存储机制可能是电压脉冲引起的薄膜局域聚合.