【摘 要】
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本文在超高频PECVD系统中对一种新颖的改性硅基薄膜材料的沉积进行了详细研究.发现这种硅基薄膜可在与非晶硅完全相同的沉积系统中,仅需改变反应气源的比例及某些沉积条件即可方便得到.我们可以通过协调控制若干条件,如反应气压、功率或衬底温度,可以获得从非晶硅、纳米硅以及微晶硅等系列不同晶化率的硅基薄膜材料.本文对此进行了讨论,最后给出改性硅基薄膜TFT的示例.
【机 构】
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南开大学光电子所,天津,300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
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本文在超高频PECVD系统中对一种新颖的改性硅基薄膜材料的沉积进行了详细研究.发现这种硅基薄膜可在与非晶硅完全相同的沉积系统中,仅需改变反应气源的比例及某些沉积条件即可方便得到.我们可以通过协调控制若干条件,如反应气压、功率或衬底温度,可以获得从非晶硅、纳米硅以及微晶硅等系列不同晶化率的硅基薄膜材料.本文对此进行了讨论,最后给出改性硅基薄膜TFT的示例.
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